L'intensité du courant circulant entre la source et le drain est commandée par la tension entre la grille de le substrat. Très souvent les électrodes de source et de substrat sont électriquement reliées, on retrouve un composant à 3 électrodes dans lequel la courant entre le Drain et la Source IDS est commandé par une tension entre la Grille et la Source (potentiel de source = potentiel de substrat) : VGS.

Les deux types fondamentaux de MOSFET sont les MOSFET à appauvrissement ( Depletion) D-MOSFET, et les MOSFET à enrichissement (Enhancement) E-MOSFET .

Dans chaque type de transistor à effet de champ mosfet, on peut distinguer le MOSFET canal N (le courant provient du déplacement d'électrons) et le MOSFET canal P (le courant provient du déplacement de trous).

 Description structurelle transistor a effet de champs mosfet

MOS :Metal Oxide Semiconductor Grille Metal ou Polysilicium

Caractéristiques électriques de transistor mosfet

Oxyde fin
Capacité ---> IG = 0
Dispositif symétrique
Diodes polarisées en inverse
Souvent, Source reliée au substrat
Champ VDS implique courant IDS

Principe de fonctionnement de transistor à effet de champ mosfet

Principe
VGB > VT
- Accumulation de charge à l'interface SiO2
- Apparition d'un canal N
Champ électrique entre Drain et Source
- Déplacement d'électrons dans le Canal N
6
- Courant IDS

Symbole électrique d'un transistor MOSfet à canal n

voir aussi :

 Comment tester un transistor Mosfet